Главная  /  Новости  /  Абитуриентам / Школьникам  /  День открытых дверей технических факультетов: экскурсии по лабораториям, встречи с выпускниками и партнерами, презентация Высшей инженерной школы

День открытых дверей технических факультетов: экскурсии по лабораториям, встречи с выпускниками и партнерами, презентация Высшей инженерной школы

17.03.2023

16 марта в корпусе «Г» университета прошел День открытых дверей двух технических факультетов – радиоэлектроники и автоматики, энергетики и электротехники. Ознакомиться с системой подготовки инженеров пришли старшеклассники из чебоксарских школ № 1, 27, 48, 49, 59, 61, 65, лицея №2, гимназии №5, школы №3 и лицея №18 города Новочебоксарск, а также школы №10 города Канаш.

День открытых дверей начался в актовом зале главного корпуса университета с презентации факультетов и реализуемых направлений подготовки. Об образовательных программах и условиях обучения на факультете радиоэлектроники и автоматики рассказали заместитель декана Л.Н. Васильева и выпускник факультета, инженер отдела системной интеграции «РТСофт-Чебоксары» Н.В. Никольский.

Факультет энергетики и электротехники презентовала заместитель декана Т.В. Мясникова. На встречу с будущими абитуриентами пришли партнеры факультета и университета: представители инженерно-производственного комплекса микропроцессорной техники, релейной защиты и автоматики Чебоксарского электроаппаратного завода– директор П.Г. Варганов и начальник бюро управления типовых решений А.Г. Салмин, а также А.В. Николаев – инженер-исследователь ООО «Релематика».

Прошла презентация нового проекта Чувашского госуниверситета – Высшей инженерной школы. Об особенностях обучения в ВИШ и условиях поступления рассказала руководитель Высшей инженерной школы Д.А. Троешестова.

После официальной части провели экскурсии по учебным и научным лабораториям факультетов. Школьники приняли участие в мастер-классах и других активностях. Студенты факультетов делились впечатлениями об учебе в университете, преподаватели рассказывали о перспективах карьерного роста.